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  • 200-1100nm硅基偏壓光電探測器，感光尺寸Φ1.0mm

    200-1100nm硅基偏壓光電探測器，感光尺寸Φ1.0mm 產品描述： 筱曉光子的硅基偏壓光電探測器感光范圍覆蓋200nm~1100nm，噪聲極低，響應快，無增益，成本低，適用于常規光電探測應用，性能優秀，性價比高，提供quan方位技術支持，常應用于紫外與可見光測量。

    更新時間：2024-12-09
    產品型號：
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  • 350-1100nm硅基放大光電探測器，感光尺寸3.6×3.6mm

    350-1100nm硅基放大光電探測器，感光尺寸3.6×3.6mm 產品描述： 筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，有8檔可調增益，可實現定量光電轉換，動態范圍寬，適用于各種光電開發場景，性能優秀，性價比高，提供quan方位技術支持，常應用于紫外與可見光測量。

    更新時間：2024-12-09
    產品型號：
    瀏覽量：831
  • 320-1100nm硅基放大光電探測器，感光尺寸Φ9.8mm

    320-1100nm硅基放大光電探測器，感光尺寸Φ9.8mm 產品描述： 筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，有8檔可調增益，可實現定量光電轉換，動態范圍寬，適用于各種光電開發場景，性能優秀，性價比高，提供quan方位技術支持，常應用于紫外與可見光測量。

    更新時間：2024-12-09
    產品型號：
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  • 190-1100nm硅基放大光電探測器，感光尺寸3.6×3.6mm

    190-1100nm硅基放大光電探測器，感光尺寸3.6×3.6mm 產品描述： 筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，有8檔可調增益，可實現定量光電轉換，動態范圍寬，適用于各種光電開發場景，性能優秀，性價比高，提供quan方位技術支持，常應用于紫外與可見光測量。

    更新時間：2024-12-09
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

    更新時間：2025-02-06
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