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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器MCT碲鎘汞探測(cè)器

  • 1-12μm中紅外非冷卻 光電導(dǎo)型 MCT象限探測(cè)器 PCQ

    1-12μm中紅外非冷卻 光電導(dǎo)型 MCT象限探測(cè)器 PCQ PCQ是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光導(dǎo)象限探測(cè)器,具有極的性能和穩(wěn)定性。象限探測(cè)器由四個(gè)獨(dú)立的有源元件組成,它們排列在一個(gè)象限幾何圖形中。

    更新時(shí)間:2024-12-05
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  • 10.6um碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測(cè)器,帶放大,帶TEC

    10.6um碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測(cè)器,帶放大,帶TEC 產(chǎn)品應(yīng)用 ● 中紅外氣體分析 ● 中紅外激光探測(cè)

    更新時(shí)間:2024-12-05
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • 7.6μm碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測(cè)器,帶放大,帶TEC

    7.6μm碲鎘汞(MCT)中紅外光電探測(cè)器,帶放大,帶TEC MCT-15-4TE放大探測(cè)器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。半導(dǎo)體制冷片(TEC)采用一個(gè)熱敏電阻反饋電路對(duì)探測(cè)器元件的溫度控制在-30 °C,從而將熱變化對(duì)輸出信號(hào)的影響最小化

    更新時(shí)間:2024-12-05
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • MCT-PCI-13-4TE-SIP-TO82-15μm 碲鎘汞MCT光電探測(cè)器 帶放大 帶TEC

    2-15μm 碲鎘汞MCT光電探測(cè)器 帶放大 帶TEC 產(chǎn)品總覽 MCT-15-4TE放大探測(cè)器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。半導(dǎo)體制冷片(TEC)采用一個(gè)熱敏電阻反饋電路對(duì)探測(cè)器元件的溫度控制在-30 °C,從而將熱變化對(duì)輸出信號(hào)的影響Min. 化。

    更新時(shí)間:2025-03-14
    產(chǎn)品型號(hào):MCT-PCI-13-4TE-SIP-TO8
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  • MCT-PEMI-10.6-2×22.0-12.0um 非冷卻 光學(xué)浸沒(méi) 光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 PEMI系列

    2.0-12.0um 非冷卻 光學(xué)浸沒(méi) 光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 PEMI系列 PEMI系列是一款基于光電磁效應(yīng)的MCT紅外光伏探測(cè)器,并且采用光學(xué)浸沒(méi)的方式提高探測(cè)器的性能。光入射會(huì)使探測(cè)器內(nèi)部半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子空穴對(duì)在磁場(chǎng)的作用下移動(dòng)。該器件在10.6 μm處探測(cè)性能佳,是一款te別適用于探測(cè)連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測(cè)器。這款探測(cè)器被安裝在內(nèi)部含有磁性電路的特殊包裝中。3°楔形硒化鋅抗

    更新時(shí)間:2025-07-17
    產(chǎn)品型號(hào):MCT-PEMI-10.6-2×2
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